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CM150DU-24F中文资料

  • 大小：93.39KB
  • 厂家：MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]
  • 描述：HIGH POWER SWITCHING USE
  • 标准包装：2
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：IGBT
  • 系列：IGBTMOD™
  • IGBT 类型：沟道
  • 配置：半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.4V @ 15V，150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：150A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)：59nF @ 10V
  • 功率 - 最大：600W
  • 输入：标准型
  • NTC 热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：模块
  • 供应商设备封装：模块

CM150DU-24F供应商

更新时间:2023-01-17 19:33:26
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